AI數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用需求基本都是400G及以上的高速光模塊，光模塊速率的提升對(duì)芯片的帶寬要求越來越高。目前400G以上速率的光模塊有硅光和自由空間光兩種技術(shù)方案，其中硅光的DR模塊是目前的主流方案。

光模塊的傳輸速率取決于調(diào)制器對(duì)光信號(hào)的調(diào)制速率，速率越高，調(diào)制器的帶寬就需要越大。直調(diào)的DFB芯片的帶寬在速率超過50Gbps之后很難提升，只能通過EML外調(diào)制來提升。但是EML芯片的成品率低，工藝制作難度大，成本高昂始終是個(gè)不容忽視的問題。在傳統(tǒng)的自由空間光封裝中，需要LD與Driver的帶寬同時(shí)提升才能滿足高速率的使用要求，在高速率應(yīng)用中是個(gè)技術(shù)攻關(guān)與成本攻克難題。

硅光方案可以完美解決這個(gè)問題，對(duì)于多通道并行方案的封裝，硅光的調(diào)制器速率在100G以內(nèi)是足夠用的，只需要外部增加一個(gè)DFB的大功率光源即可，調(diào)制功能由硅光PIC的調(diào)制器實(shí)現(xiàn)，DFB的芯片也不需要對(duì)調(diào)制帶寬有過高的要求。并且硅光PIC的制作工藝與CMOS平臺(tái)完全兼容，可以大規(guī)模批量生產(chǎn)。

當(dāng)前，400G/800G光模塊一般采用硅光調(diào)制器或EML激光器方案，可滿足單波最高速率100Gbps的需求。硅光調(diào)制器帶寬和電吸收調(diào)制器功耗的限制，實(shí)現(xiàn)單波200Gbps數(shù)據(jù)速率存在較大挑戰(zhàn)，需要攻克調(diào)制器帶寬和效率提升技術(shù)，以滿足下一代1.6T及以上光模塊的技術(shù)迭代需求?？深A(yù)見比較成熟的替代方案是薄膜鈮酸鋰調(diào)制器，具有更高的帶寬潛力和調(diào)制效率，在骨干相干通信網(wǎng)絡(luò)中已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。針對(duì)短距離光模塊應(yīng)用，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器的性能完全能支持800G、1.6T及更高速率光模塊。

高速率調(diào)制器發(fā)展應(yīng)用